中国化学会第32届学术年会
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Ni掺杂SnO2纳米片的合成及对乙醇气敏性能的研究
金钊 钟旨豪 刘善堂*

分会

第六分会:无机固态化学

摘要

本文采用一步水热法合成了纯SnO2和不同掺杂摩尔比的Ni-SnO2材料,并用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜以及高分辨率透射电子显微镜等表征技术来对材料的微观形貌和组成结构进行了分析。实验结果表明:合成的Ni掺杂SnO2样品具有纳米片结构,厚度大约为20-30 nm。材料的气敏性能测试结果显示:3 mol% Ni-SnO2纳米片在最佳工作温度275 ℃下对100 ppm乙醇有最佳的响应值(43.22),掺杂后的SnO2响应值大约为纯SnO2纳米片的6倍。由于Ni离子掺入SnO2晶格中,替代了Sn4+的晶格位点,引起了SnO2纳米片中的氧空位缺陷和化学吸附氧含量的改变。因此,将Ni掺杂到特定形貌的SnO2材料中具有良好的应用前景。

关键词

掺杂;纳米片;乙醇;气敏传感器;Ni-SnO2

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