胡平安

男， 哈尔滨工业大学， 教授/研究员/教授级高工或同等级别

学习/工作经历

2004年获得中国科学院化学研究所博士学位，随后 8/2004---3/2006以日本振兴协会特别研究员（JSPS）身份在早稻田大学纳米研究中心工作；5/2006年---6/2009，在剑桥大学博士后研究；2009-迄今在哈尔滨工业大学工作，教授、博士导师。曾获教育部新世纪优秀人才、龙江学者特聘教授。

研究领域和兴趣

单晶功能材料生长与传感器

主要业绩

目前致力于超薄二维薄膜材料结构与光电性能调控，及在仿皮肤传感器等柔性仿生智能器件应用基础研究。主持国家重大研究计划、总装重点项目、国家自然资金等项目20项，并作为骨干参与基金委重大研究计划、基金委创新群体、科技部“973”等项目。迄今在Nature Electronics、Nature Communication， Advanced Materials等期刊上发表论文180篇，EI收录70篇论文被Nature、 Science、Nature Photonics （IF：31.167）、英国皇家学会“New Scientist” 以“highlight (亮点报道)”专题报道、也被Wiley Material Views China (2次) 报道并获高度评价， 同时被Science, Chem Rev等国际顶级期刊大篇幅引用和评价， 引用学者包括诺贝尔奖获得者K S Novoselov等国际著名科学家。获国家授权发明专利16项；获黑龙江省自然科学一等奖（2015年，排名第一）。

代表成果

1、 Zhang, Jia; Gao, Feng; Hu, PingAn, A vertical transistor with a sub-1-nm channel, Nature Electronics, 2021, ‏ 325-325
2、 Jia Zhang, Biying Tan, Xin Zhang, Feng Gao, Yunxia Hu, Lifeng Wang, Xiaoming Duan, Zhihua Yang, PingAn Hu, Atomically Thin Hexagonal Boron Nitride and Its Heterostructures, Advanced Materials, 2021， 32， 202000769
3. Chen, XS， Yang, HH ， Liu, GB ，Gao, F; Dai, MJ; Hu, YX; Chen, HY; Cao, WW; Hu, PA ; Hu, WP，Hollow Spherical Nanoshell Arrays of 2D Layered Semiconductor for High-Performance Photodetector Device，Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1705153
4. Liu, GB; Li, ZH; Hasan, T; Chen, XS; Zheng, W (Zheng, Wei)[ 1 ] ; Feng, W ; Jia, DC; Zhou, Y; Hu, PA,Vertically aligned two-dimensional SnS2 nanosheets with a strong photon capturing capability for efficient photoelectrochemical water splitting, J. Mater. Chem. A, 2017, 5(5): 1989-1995
5. J Zhang, W Feng, H Zhang, ZL Wang, H A Calcaterra, B Yeom, P A Hu*, N A Kotov, Multiscale deformations lead to high toughness and circularly polarized emission in helical nacre-like fibers, Nature Comm, 2016, 7,10701
6. L Wang, B Wu, L Jiang, J Chen, Y Li, W Guo, PA Hu*,YQ Liu, Growth and etching of monolayer hexagonal boron nitride, Adv Mater, 2015, 27(33), 4858–4864(封面论文)
7. W Feng, W Zheng, W Cao, PA Hu*, Back gated multilayer InSe transistors with enhanced carrier mobilities via the suppression of carrier scattering from dielectric interface，Adv Mater , 2014, 38,6587-6593

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