靳常青

男， 中科院物理研究所， 教授/研究员/教授级高工或同等级别

学习/工作经历

1985年8月 ～1988年8月：吉林大学、高压高温稀土化合物合成方向、硕士生；
1988年11月～1991年8月：中科院物理研究所、极端条件凝聚态材料方向、博士生；
1981年9月 ～1985年8月：河北师范大学、物理系、本科生；
1991年9月：中科院物理所、助研；
1996年8月：中科院物理所、副研、硕士生导师；
1996年1月起：中科院物理所，高压学术方向负责人；
1998年8月：中科院物理所研究员(破格晋升)、2009年2级、博士生导师；
2016年1月起：兼任国科大岗位教授、博士生导师。

其中:
1999年8月～2009年6月：法国凝聚态化学研究所(ICMCB CNRS Bordeaux)开展高压化学合成访问研究；
1993年8月～1996年8月：日本超导工学研究所、高级客座研究员、高压超导新材料合成访问研究；
2007年1月～2007年3月：日本东北大学金属材料研究所、高级访问教授、开展高压新材料合成访问研究。

研究领域和兴趣

极端条件化学合成技术和新化合物的设计、创制及构效研究

主要业绩

靳常青长期开展高压极端条件合成技术、新化合物设计、创制和构效研究，作为主要成员高压创制了序列结构新颖且性能独特的新化合物，发现：
(I)Tc 118K的Cu1234超导体，这是液氮温区2个“三高”(高转变温度、高临界电流、高临界场)超导体之一，另1个为经典的Tc 90K的YBaCuO123；铁基超导四大体系之一的“111”体系；Tc200K以上的富氢化合物；温度最高的元素超导体。部分成果荣获2016年国家自然科学2等奖、2022年北京市自然科学1等奖和2015年叶企孙凝聚态个人奖。
(II)在我国首次成功合成具有应用前景的高张力键能释放材料，为我国新1代高能化合物创制和原理验证做出突出贡献，部分成果荣获2022年国防科技进步1等奖、2023年兵工集团科技特等奖；
第26届国际高压科学技术大会主席、2届国际晶体学联合会(IUCr)材料晶体学委员会的主席；基金委杰青(199
(III)领导开展了我国第1台基于金刚石压砧的超高压、低温、强磁场综合实验装置（1999）、紧装式6～8型二级推进型超高压合成装置（2011）、笼型水合物高压研制及在位谱学表征联合实验系统（2013）等多项高压极端条件材料合成和表征技术的研发，相关研究成果填补了国内空白，分别达到当时国际领先和国际先进水平。
以上研究成果以文章形式在自然及子刊（Nature 2篇+Nature Physics 2篇+Nature Commu 18篇）、美国科学院院刊(10篇)、美国化学学会会志+德国应用化学+Chem Mat (20篇)，合计发表SCI学术论文300多篇，多篇文章入选封面；研究成果得到包括Science、Nature, Nature Chem等著名学术期刊的评述和国际同行的广泛引用，他引18, 000+，单篇最高引用>900；授权38项发明专利；受邀国际会议大会\主题\邀请报告80多个，包括国际高压科学和技术大会(AIRAPT)上的50分钟大会报告，美国材料学会(MRS)、欧洲材料学会等大型系列国际会议上的邀请报告。

学术获奖荣誉
2016年：国家自然科学2等奖(排名1：“磁电演生新材料及高压调控的量子序”)；
2022年：北京市自然科学1等奖(排名1：“极端条件基元序构的功能新材料”)；
2022年：国防科技进步1等奖(含能材料领域。主要贡献者)；
2023年：兵器工业集团科技进步特等奖(含能材料工程技术，重要贡献者)；

2024年：当选欧洲科学院院士(EurSAc);
2021年：当选美国科学促进会会士(AAAS Fellow: For distinguished contributions to areas of high-temperature superconductivity, ferromagnetism in semiconductors, and their behavior under extremely high pressures, high magnetic fields, and ultra-low temperatures)；
2019年：基金委创新研究群体(负责人：“极端条件新物态和量子演生现象”)；
1997年: 基金委杰青(材料工程学部：超导新材料)；
2023年：中国材料研究学会科学技术1等奖(排名1：“极端条件高温超导新材料制备和基本物性研究”)；
2018年：中国材料研究学会科学技术1等奖(排名1：“高居里温度稀磁半导体新材料
的发现及基本物性研究”)；
2015年：荣获中国物理学会叶企孙物理奖(个人奖：“高压新材料发现及性能研究”)
2011年：中科院杰出科技成就集体奖(主要贡献者: 拓扑化合物)；
2011年：北京市科学技术2等奖(排名1: 铁基“111”超导体系的发现)；
1994年：日本超导国际中心奖(个人奖: 铜基12(n-1)铜系超导体系的发现)；
2016年：当选英国物理学会会士（FInstP）；
2014年：当选美国物理学会会士(for pioneering high pressure synthesis of new materials & discovery of LiFeAs)；
2016年起：连续入选Elsevier高被引中国学者榜单；
2020和2010年：2获国际衍射数据中心(ICDD)颁发重大贡献奖；
2011年：中国2011年百篇最具国际影响论文；
2010年：中科院物理研究所优秀教师奖；
1994年：日本国际超导中心奖(发现Cu1234高温超导体系)

学会团体服务
积极参与服务学会工作，曾任30多个和化学合成有关的高压极端条件物质状态等国际会议国际顾问委员会、程序委员会委员和分会主席，组织了包括第26届国际高压科学技术大会(2017)、美国材料学会（MRS）卫星会议（2008）、第6和第8届亚洲高压科学和技术研讨会（2012年，2017）等多个和化学新材料合成密切相关的国际序列学术会议。长期担任JACS、Angew. Chem.、Chem Mat等化学类学术期刊审稿人。
现任和曾担任的与化学合成密切相关的学会组织职务：
2021年8月起：国际晶体学联合会(IUCr)材料晶体学委员会主席;
2019年8月起：国际高压科学技术联合促进会(AIRAPT)秘书长；
2019年3月起：国际科学理事会中国委员会委员;
2021年8月起：亚洲晶体学会(AsCA)理事；
2018年起：中国晶体学会副理事长；
2014年11月起：中国晶体学会极端条件晶体材料专业委员会创会主任；
2022年3月起：中国材料研究学会第八届理事会理事；
2019年5月起：中国材料研究学会极端条件材料和器件第1届专委会委员；
2011年6月起：国际高压科学技术联合促进会最高奖Bridgman奖候选人评委会委员；
2018年11月起：中国物理学会高压物理专业委员会副主任;
2022年1月起：高压科学旗舰期刊”High Pressure Research” 编委(Francis Taylor)

代表成果

靳常青的研究成果集中在具有新结构的化合物的高压合成和构效研究上，与合作者在包括自然及子刊（Nature 2篇+Nature Physics 2篇+Nature Commu 18篇）、美国科学院院刊(10篇)、美国化学学会会志+德国应用化学+Chem Mat (20篇)等SCI期刊发表学术论文300多篇，多篇入选封面和亮点。研究成果得到包括Science、Nature, Nature Chem等著名学术期刊的评述推介和国际同行的广泛引用，他引18, 000+，单篇最高引用>900；授权38项发明专利。

近期代表性研究论文:
*：通讯作者
1. C. L. Zhang, X. He, C. Liu, Z. W. Li, K. Lu, S. J. Zhang, S. M. Feng, X. C. Wang, Y. Peng, Y. W. Long, R. ChengYu, L. H. Wang, V. Prakapenka, S. Chariton, Q. Li, H. Z. Liu, C. F. Chen, C. Q. Jin(靳常青)*, "Record High Tc Elemental Superconductivity Achieved In Titanium", Nature Communications. 13, 5411(2022); DOI: 10.1038/s41467-022-33077-3;
钛高压相刷新元素超导最高温度记录；
2. Z. W. Li, X. He, C. L. Zhang, X. C. Wang, S. J. Zhang, Y. T. Jia, S. M. Feng, K. Lu, J. F. Zhao, J. Zhang, B. S. Min, Y. W. Long, R. C. Yu, L. H. Wang, M. Y. Ye, Z. S. Zhang, V. Prakapenka, S. Chariton, P. A. Ginsberg, J. Bass, S. H. Yuan, H. Z. Liu and C. Q. Jin(靳常青)*, "Superconductivity above 200 K Observed in Superhydrides of Calcium", Nature Communication 13, 2863(2022); DOI: 10.1038/s41467-022-30454-w;
高压合成并独立发现国际上第3个温度在200K以上的超导材料：钙基富氢超导体；
3. J. Zhang, X. C. Wang, L. Zhou, G. X. Liu, D. T. Adroja, I. Da Silva, F. Demmel, D. Khalyavin, J. Sannigrahi, H. S. Nair, L. Duan, J. F. Zhao, Z. Deng, R. Z. Yu, X. Shen, R. C. Yu, H. Zhao, J. M. Zhao, Y. W. Long, Z. W. Hu, H. J. Lin, T. S. Chan, C. T. Chen, W. Wu & C. Q. Jin(靳常青)*, "A Ferrotoroidic Candidate with Well Separated Spin Chains". Advanced Materials 34, 2106728(2022); DOI: 10.1002/adma.202106728;
设计并高压合成发现极为罕见的铁涡序模型材料;
4. J. F. Zhao, J. C. Gao, W. M. Li, Y. T. Qian, X. D. Shen, X. Wang, X. Shen, Z. W. Hu, C. Dong, Q. Z. Huang, L. P. Cao, Z. Li, J. Zhang, C. W. Ren, L. Duan, Q. Q. Liu, R. C. Yu, Y. Ren, S. C. Weng, H.J. Lin, C.T. Chen, L.H. Tjeng, Y. W. Long, Z. Deng, J. L. Zhu, X. C. Wang, H. M. Weng, R. Z. Yu, M. Greenblatt & C. Q. Jin(靳常青)*, "A combinatory ferroelectric compound bridging simple ABO3 and A-site-ordered quadruple perovskite", Nature Communications 12, 747 (2021); DOI: 10.1038/s41467-020-20833-6;
设计并高压合成发现首个位移型多阶有序钙钛矿铁电体，构架联接简单钙钛矿和多阶钙钛矿的结构桥梁;
5. Z. Deng, C. J Kang, M. Croft, W. M. Li, X. Shen, J. F. Zhao, R. C. Yu, C. Q. Jin(靳常青)*, G. Kotliar, S. Z. Liu, T. A. Tyson, R. Tappero, and M. Greenblatt, “A Pressure-Induced Inverse Order–Disorder Transition in Double Perovskites”, Angew. Chem. Int. Ed. 59, 8240(2020)(Cover Page Story & Hot paper); DOI: 10.1002/anie.202001922;
高压合成新型双钙钛矿结构材，观察到反常的磁性演化，揭示违反化学直觉的构效关联;
6. W. M. Li, J. F. Zhao, L. P. Cao, Z. Hu, Q. Z. Huang, X. C. Wang, Y. Liu, G. Q. Zhao, J. Zhang, Q. Q. Liu, R. Z. Yu, Y. W. Long, H. Wu, H. J. Lin, C. T. Chen, Z. Li, Z. Z. Gong, Z. Guguchia, J. S. Kim, G. R. Stewart, Y. J. Uemura, S. Uchida & C. Q. Jin(靳常青)*, "Superconductivity in a unique type of copper oxide", Proc. Natl. Acad. Sci. USA 116, 12156 (2019); DOI: 10.1073/pnas.1900908116;
设计并超高氧压合成首个压缩配位型铜基高温超导材料，常压超导温度比普适的拉伸配位型的同结构材料提高80%，挑战了铜基超导的主流认知;
7. K. Zhao, Z. Deng, X.C. Wang, W. Han, J.L. Zhu, X. Li, Q.Q. Liu, R.C. Yu, T. Goko, B. Frandsen, L. Liu, F.L. Ning, Y.J. Uemura, H. Dabkowska, G.M. Luke, H. Luetkens, E. Morenzoni, S.R. Dunsiger, A. Senyshyn, P. Boni, C. Q. Jin(靳常青)*, “New diluted ferromagnetic semiconductor with Curie temperature up to 180 K and isostructural to the ‘122’ iron-based superconductors” NATURE COMMUNICATIONS | 4: 1442 (2013); D DOI: 10.1038/ncomms2447;
将自旋电荷掺杂机制分离的新一代稀磁半导体的温度提高到180K的记录;
8. Z. Deng, C. Q. Jin(靳常青)*, Q. Q. Liu, X. C. Wang, J. L. Zhu, S. M. Feng, L. C. Chen, R. C. Yu, C. Arguello, T. Goko, F. L. Ning, J. S. Zhang, Y. Y. Wang, A. A. Aczel, T. Munsie, T. J. Williams, G.. M. Luke, T. Kakeshita, S. Uchida, W. Higemoto, T. U. Ito, Bo Gu, S. Maekawa, G.. D. Morris, Y. J. Uemura, “Li(Zn,Mn)As as a new generation ferromagnet based on a I–II–V semiconductor”, Nature Communications 2, 422 (2011); DOI: 10.1038/ncomms1425;
设计并合成发现自旋和电荷掺杂机制分离的新一代稀磁半导体材料;
9. J. L. Zhang, S. J. Zhang, H. M. Weng, W. Zhang, L. X. Yang, Q. Q. Liu, S. M. Feng, X. C. Wang, R. C. Yu, L. Z. Cao, L. Wang, W. G. Yang, H. Z. Liu, W. Y. Zhao, S. C. Zhang, X. Dai, Z. Fang, C. Q. Jin(靳常青)*, “Pressure-induced superconductivity in topological parent compound Bi2Te3”, Proc. Natl Acad. Sci. 108, 24 (2011); DOI: 10.1073/pnas.1014085108;
首次实现压力诱发的拓扑材料的超导;
10. C. Q. Jin(靳常青)*, J. S. Zhou, J. B. Goodenough, Q. Q. Liu, J. G. Zhao, L. X. Yang, Y. Yu, R. C. Yu, T. Katsura, A. Shatskiy, and E. Ito, “High-pressure synthesis of the cubic perovskite BaRuO3 and evolution of ferromagnetism in ARuO3 (A=Ca, Sr, Ba) ruthenates” Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 105, 7115(2008); DOI: 10.1073_pnas.0710928105;
设计并高压合成新型钌基钙钛矿氧化物铁磁金属材料，澄清了长达半个世纪的这类奇异氧化物磁性起源的科学谜团

授权32项新材料和技术发明专利(国内专利28项):
1. 余勇 杨留响 靳常青；高压实验用振动式交流磁信号探测系统；申请年份：2008.1.2；申请号：200810055937.3；批准年份；2010.8.11；专利号：ZL200810055937.3
2. K. 麦登 余勇 靳常青；交流磁化率测量用压力胞及其施压装置和交流磁化率测量系统；申请年份：2007.11.5；申请号：200710176823.X；批准年份：2009.12.2；专利号：ZL200710176823.X
3. 翟光杰 靳常青 余勇 杨捍东 王逶迤；高压实验用超导转变磁信号探测系统；申请年份：2004.12.9；申请号：200410096885.6；批准年份：2008.02.13；专利号：ZL200410096885.6
4. 朱金龙 李凤英 靳常青；低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置及方法；申请年份：2008.7.29；申请号：200810117329.0；批准年份：2010.6.23；专利号：ZL200810117329.0
5. 于润泽 望贤成 孔盼盼 刘清青 靳常青；一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法；申请年份：2012.3.21；申请号：201210074831.4；批准年份：2013.10.30；专利号：ZL201210074831.4
6. 肖长江 靳常青 王晓慧；高密度纳米陶瓷的制备方法；申请年份：2004.10.15；申请号：200410083676.8；批准年份：2006.4.12；专利号：ZL200410083676.8
7. 刘清青 杨华 杨留响 余勇 禹日成 李凤英 靳常青；一种提高顶角氧掺杂高温超导转变温度的方法；申请年份：2008.2.2；申请号：200810057513.0；批准年份：2009.12.30；专利号：ZL200810057513.0
8. 靳常青 刘清青 赵景庚；一种立方钙钛矿结构BaRuO3晶体及其制备方法；申请年份：2008.2.2；申请号：200810057519.8；批准年份：2010.09.29；专利号：ZL200810057519.8
9. 赵侃 邓正 靳常青；一种稀磁半导体材料及其制备方法；申请年份：2012.12.31；申请号：201210593000.8；批准年份：2017.7.21；专利号：ZL201210593000.8
10. 邓正 靳常青；一种铁磁半导体材料Li(Zn,Mn)P及其制备方法；申请年份：2013.3.21；申请号：201310091221.X；批准年份：2016.4.21；专利号：ZL 201310091221.X
11. 吕玉玺 刘清青 靳常青；6H相钙钛矿BaCrO3晶体及其制备方法；申请年份：2010.9.13；申请号：201010281020.2；批准年份：2013.4.17；专利号：ZL201010281020.2
12. 赵景庚 杨留响 靳常青；一种“6H”BaIrO3晶体及其制备方法；申请年份：2008.2.2；申请号：200810057520.0；批准年份：2010.9.29；专利号：ZL200810057520.0
13. 龙有文 杨留响 靳常青；Sr1－xCaxCrO3钙钛矿莫特化合物及其高压高温合成方法；申请年份：2008.2.2；申请号：200810057515.X；批准年份：2010.9.29；专利号：ZL200810057515.X
14. 吕玉玺 刘清青 靳常青；一种掺杂Mott化合物晶体及其制备方法；申请年份：2011.5.17；申请号：201110127442.9；批准年份：2013.6.5；专利号：ZL201110127442.9
15. 靳常青 望贤成 刘清青 吕玉玺 高伟波 杨留响 李凤英 禹日成；一种铁基高温超导晶体及其制备方法；申请年份：2009.1.21；申请号：200910077293.2；批准年份：2012.3.21；专利号：ZL200910077293.2
16. 朱金龙 冯少敏 王丽娟 刘清青 李凤英 靳常青；一种多铁材料Bi2NiTiO6的磁性能和铁电性能的调控方法；申请年份：2010.6.30；申请号：201010164815.5；批准年份：2012.9.5；专利号：ZL201010164815.5
17. 靳常青 张俊 望贤成；一种磁性半导体材料及其制备方法；申请年份：2017.11.2；申请号：201711063585.1；批准年份：2020.1.7；专利号：ZL201711063585.1
18. 靳常青 于爽 邓正；具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法；申请年份：2017.11.24；申请号：201711192940.5；批准年份：2020.6.2；专利号：ZL201711192940.5
19. 靳常青 赵国强 邓正；一种铁磁半导体材料的单晶生长方法；申请年份：2017.2.27；申请号：201710106168.4；批准年份：2020.7.28；专利号：ZL201710106168.4
20. 靳常青 赵国强 林朝镜 李永庆 邓正；一种安德烈夫发射结及其制备方法及应用；申请年份：2017.2.27；申请号：201710106167.X；批准年份：2019.9.25；专利号：ZL201710106167.X
21. 靳常青 陈碧娟 邓正；镉基铁磁半导体材料及其制备方法；申请年份：2016.3.1；申请号：201610115621.3；批准年份：2019.3.1；专利号：ZL201610115621.3
22. 靳常青 陈碧娟 邓正；氟基铁磁半导体材料及其制备方法；申请年份：2016.3.18；申请号：201610157611.6；批准年份：2019.4.5；专利号：ZL201610157611.6
23. 靳常青 陈碧娟 邓正；一种铁磁半导体材料(Sr,Na)(Zn,Mn) 2As2及其制备方法；申请年份：2014.5.14；申请号：201410201977.X；批准年份：2018.3.2；专利号：CN201410201977.X
24. 靳常青 赵侃 邓正；一种稀磁半导体材料(Ca,Na)(Zn,Mn) 2As2及其制备方法；申请年份：2014.6.27；申请号：201410302565.5；批准年份：2017.7.21；专利号：CN201410302565.5
25. 朱洁 刘清青 靳常青；碲化银晶体及其制备方法；申请年份：2012.5.15；申请号：201210150810.6；批准年份：2014年12月24日；专利号：ZL 201210150810.6
26. 陈碧娟 邓正 靳常青；一种半导体材料BaFxZnAs及其制备方法；申请年份：2013.4.8；申请号：201310119534.1；批准年份：2016年8月3日；专利号：ZL 201310119534.1
27. 邓正 靳常青 望贤成；一种磁电功能材料及其制备方法；申请年份：2010.3.3；申请号：201010117666.7；批准年份：2012.10.3；专利号：ZL201010117666.7
28. 邓正 靳常青 望贤成；一种磁电功能材料及其制备方法；申请年份：2010.3.3；申请号：201010117666.7；批准年份：2012.10.3；专利号：ZL201010117666.7

参与发改委极端条件平台大科学装置的论证设计研制。

*以上信息由高级会员个人更新和维护。