分会

第五十六分会：高压化学

摘要

过渡金属硫族化合物作为一类重要的二维半导体材料，由于其独特的电学、光学和催化性能，近年来引起了人们广泛的关注。作为一种典型的二维材料，二硒化钨（WSe2）具有层状结构，层内的单元结构由Se-W-Se原子共价键结合，而层与层之间则通过较弱的范德尔斯相互作用力结合在一起。理论和实验研究表明，通过施加压力可以减少层间距离增加层间的耦合相互作用，从而可以显著地改变其能带结构和带隙。二硒化钨由于其阴离子Se相较于其他硫族元素具有较大的离子半径，少层二硒化钨材料在B激子峰附近会出现一个新的激子峰A’，对于A’激子峰的成因一直存在较大的分歧。在此，我们通过自行搭建的飞秒瞬态吸收光谱装置与金刚石对顶砧相结合[1]，系统地研究了少层二硒化钨体系在不同压力下的载流子超快动力学过程，研究发现A’激子峰与A激子的高激发态无关，其是由于不同层间的元素耦合所引起的。

关键词

超快动力学;瞬态吸收

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