分会

第五十七分会：表面物理化学

摘要

许多晶体材料中存在着诸如空位、位错和晶界等固有的拓扑缺陷。拓扑缺陷的存在可以打破晶格的完美对称性，并产生许多新的性质。例如，石墨烯中形成的缺陷打破了二维蜂窝晶格的对称性，为研究缺陷对石墨烯的机械、电气、化学和光学性能的影响开辟了一个完整的研究领域[1-5]，所以确切地了解石墨烯单原子缺陷周围的不对称的状态的本质对于了解其电子特性来说是非常重要的。本文利用扫描隧道显微镜(STM)和光谱学方法研究了高定向裂解石墨(HOPG)表面拓扑缺陷附近的定于电子态对结构的依赖性。我们探索了HOPG表面上的几个固有拓扑缺陷和周围的局域态密度，并视其为与散射波相关的(√3×√3)R30°超结构和六角蜂窝状超结构。此外，在晶界附近观察到的超结构在特定位置的衰减长度比以往报道的要高[6,7]，这表明在准周期晶界上存在更强的电子散射。这些结果可以使我们对多晶石墨烯的物理和电子结构有更深入的了解，并有助于优化生长和制造方案，以控制拓扑缺陷对其电学输运性质的影响。

关键词

扫描隧道显微镜;拓扑缺陷;高定向裂解石墨

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