第4分会：半导体界面与缺陷 - 日程表 - 中国化学会第一届全国表界面科学会议

第4分会：半导体界面与缺陷主席：罗锋、郭宇铮、刘钊，胡春峰

编号	论文标题	报告人	时间	操作
2025年05月10日
第3时段口头报告（Oral） 207B 天府厅胡袁源
04-KN-001	硅基异质半导体界面的原子制造与器件	张建军	13:30-13:50	关注
04-KN-002	Self-passivation reduces the Fermi level pinning in the metal-semiconductor contacts	骆军委	13:50-14:10	关注
04-I-001	复合晶体表界面的精准构筑及其性能	宁印	14:10-14:25	关注
04-I-002	层状半导体的声子腔和光学腔效应	林妙玲	14:25-14:40	关注
04-I-003	低维半导体界面的新奇量子相	娄文凯	14:40-14:55	关注
04-I-004	氧化物薄膜中的垂直界面效应研究	杨浩	14:55-15:10	关注
04-O-001	二维激子输运与超快动力学调控	齐鹏飞	15:10-15:20	关注
04-O-002	铁电极化和缺陷迁移共同作用下的β'-In2Se3电阻转变特性	王林	15:20-15:30	关注
第4时段口头报告（Oral） 207B 天府厅宁印
04-KN-003	二维半导体异质结界面耦合的拉曼光谱研究	谭平恒	15:45-16:05	关注
04-KN-004	宽带隙半导体器件缺陷陷阱无损表征技术及演化机理研究	冯士维	16:05-16:25	关注
04-I-005	有机半导体缺陷与掺杂研究	胡袁源	16:25-16:40	关注
04-I-006	石墨烯中的声子赝磁场	张东波	16:40-16:55	关注
04-I-007	超高真空环境制备大面积少层MoS2-Au(111)模型异质界面	明方飞	16:55-17:10	关注
04-I-008	硅基异质外延III-V族低维结构材料的表/界面与性能调控	杨晓光	17:10-17:25	关注
04-O-003	缺陷半导体单层中电子摩擦能量耗散的超快动力学	刘欢	17:25-17:35	关注
04-O-004	MoS2/H-DLC复合薄膜宏观大尺度超滑性能研究	余国民	17:35-17:45	关注
04-O-005	Si基界面的第一性原理研究：以β-Quartz SiO2/Si和a-HfO2/Si界面为例	钟红霞	17:45-17:55	关注
2025年05月11日
第1时段口头报告（Oral） 207B 天府厅谭青海
04-KN-005	纳米多层膜界面缺陷探测及其调控	王占山	08:30-08:50	关注
04-KN-006	基于先进光谱椭偏的低维半导体光学与介电性质表征	谷洪刚	08:50-09:10	关注
04-I-009	Surface and Interface Engineering for Multistate Ferroelectricity and Nonreciprocal Transport in Two-Dimensional Quantum Materials	黄华卿	09:10-09:25	关注
04-I-010	稀土离子掺杂缺陷发光调控	张正龙	09:25-09:40	关注
04-O-006	黑磷的电化学插层模型研究	冯晴亮	09:40-09:50	关注
04-O-007	钙钛矿晶体表面缺陷的测量与发光动力学研究	朱益志	09:50-10:00	关注
第2时段口头报告（Oral） 207B 天府厅黄华卿
04-KN-007	高质量二维材料的可控制备	刘碧录	10:15-10:35	关注
04-KN-008	氮化物半导体异质结构界面二维电子气的自旋性质	唐宁	10:35-10:55	关注
04-I-011	Donor–acceptor pair quantum emitters in van der Waals materials	谭青海	10:55-11:10	关注
04-I-012	二维氧化锌半导体表面掺杂缺陷的第一性原理研究	韩冬	11:10-11:25	关注
04-I-013	叠层过渡金属硫化物的可控制备	刘松	11:25-11:40	关注
04-O-008	化学气相沉积法可控制备二维磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4	Hui Guo	11:40-11:50	关注
04-O-009	折叠石墨烯边缘伪朗道能级分裂诱导的量子摩擦	刘钊	11:50-12:00	关注
第3时段口头报告（Oral） 207B 天府厅胡春光
04-KN-009	同步辐射X射线技术在半导体材料表征与器件缺陷检测中的应用	罗锋	13:30-13:50	关注
04-KN-010	单原子尺度精准的半导体点缺陷的光谱表征	刘雷	13:50-14:10	关注
04-I-014	基于s-SNOM对熔石英的致密化进行纳米级定量表征	闫英	14:10-14:25	关注
04-I-015	同步辐射X射线原位研究氮化物半导体外延生长中的表界面动力学	鞠光旭	14:25-14:40	关注
04-I-016	二维锡基卤化物钙钛矿的异质集成及激光研究	师恩政	14:40-14:55	关注
04-I-017	半导体/超导体异质界面的原子构造及物态调控	潘东	14:55-15:10	关注
04-O-010	半导体领域用陶瓷涂层热力学测试技术及标准化	孙与康	15:10-15:20	关注
04-O-011	极性界面超快动力学研究	刘永辉	15:20-15:30	关注
第4时段口头报告（Oral） 207B 天府厅闫英
04-KN-011	宽禁带GaN基半导体器件中界面及缺陷问题研究	赵丽霞	15:45-16:05	关注
04-KN-012	光电材料载流子动力学	田文明	16:05-16:25	关注
04-I-018	金属氧化物半导体薄膜晶体管的稳定性	刘川	16:25-16:40	关注
04-I-019	钙钛矿半导体界面新奇物性与能量损失	保秦烨	16:40-16:55	关注
04-I-020	氧化物光电计算与器件物理	葛琛	16:55-17:10	关注
04-I-021	表界面高灵敏度光谱测量方法及应用研究	胡春光	17:10-17:25	关注
04-I-022	基于表面科学的光刻性能调控策略	朱慧娥	17:25-17:40	关注
04-I-023	半导体深孔槽内刻蚀残留元素的定量分析	赵弇斐	17:40-17:55	关注
2025年05月12日
第1时段口头报告（Oral） 207B 天府厅杨迎国
04-I-024	晶体管缺陷与可靠性模拟器MARS	刘岳阳	08:30-08:45	关注
04-I-025	低功耗柔性晶体管器件的有机半导体薄膜设计与界面调控	尹志刚	08:45-09:00	关注
04-I-026	Ga2O3超薄膜生长及单晶表面特性研究	何云斌	09:00-09:15	关注
04-I-027	基于UV光超高分辨率显微镜在半导体器件制造过程的应用	刘志平	09:15-09:30	关注
04-I-028	蔡司半导体缺陷检测解决方案	何浩楠	09:30-09:45	关注
04-I-029	二维材料中畴的近场光学成像与调控	骆越	09:45-10:00	关注
第2时段口头报告（Oral） 207B 天府厅刘岳阳
04-I-030	新型功能薄膜器件的表界面微结构研究	杨迎国	10:15-10:40	关注
04-I-031	无机纳米晶/有机分子半导体界面三线态能量转移及应用	罗消	10:40-11:05	关注
04-I-032	铅卤钙钛矿量子点表界面光物理与自旋调控	冯东海	11:05-11:30	关注
04-I-033	非晶Ga2O3缺陷调控在X射线探测中的应用研究	梅增霞	11:30-11:55	关注
04-I-034	金属卤化物结构调控及X射线探测与成像的研究	臧志刚	11:55-12:20	关注
2025年05月10日
第2时段墙报（Poster）会议中心二层四川厅（主会场）续厅 TBD
04-P-001	Unveiling the Effects of Anions on Photoelectrochemical Etching of Gallium Nitride	梁汇锵	12:30-13:30	关注
04-P-002	β-Ga2O3(100)单晶表面特性研究	李昊勃	12:30-13:30	关注
04-P-003	氧化锑薄膜的表面制备及缺陷调控	杨雪晴	12:30-13:30	关注
04-P-004	Crystal phase-dependent optical properties of CoMn-based spinel oxides for solar thermal conversion	马会兰	12:30-13:30	关注
04-P-005	Atomic level insight into the variation and tunability of band alignment between Si and amorphous SiO2/HfO2	李文峰	12:30-13:30	关注
04-P-006	通过调控电荷捕获改善二维WSe2 FET的可靠性：基于第一性原理的论证	yu zhao	12:30-13:30	关注
04-P-007	CrOCl诱导的PbI2纳米片中面内光学各向异性	徐韬	12:30-13:30	关注
04-P-008	基于二维紫磷烯分子/界面结构的机械特性研究	张博	12:30-13:30	关注
04-P-009	Tunable band offsets of functional groups modification diamond (111)/carbon nanotube heterostructures	黄婕伊	12:30-13:30	关注
04-P-010	Fundamental Understanding and Control of variability and reliability in Ferroelectric FETs	黄元铨	12:30-13:30	关注
04-P-011	β-Ga₂O₃/AlN异质结中极性依赖的能带偏移和二维电子气的第一性原理研究	段忻磊	12:30-13:30	关注
04-P-012	h-BN Passivation for Trap State Engineering in MoS₂-based Photodetectors	许宇航	12:30-13:30	关注
04-P-013	Theoretical Insights into the Two-Dimensional Gallium Oxide Monolayer for Adsorption and Gas Sensing of C4F7N Decomposition Products	Rong Han	12:30-13:30	关注
04-P-014	铁电介质层缺陷表征	袁鸿烨	12:30-13:30	关注
04-P-015	Switching characteristics of H-diamond field effect transistors with h-BN gate dielectric featuring native point defects	桂庆忠	12:30-13:30	关注
第2时段仅提交论文（自由交流）会议中心二层四川厅（主会场）续厅 TBD
04-A-001	以MOF为载体的过渡金属储能材料设计	袁诗雨	12:30-13:30	关注
04-A-002	MoS2/石墨烯异质结界面的电控摩擦	高新晨	12:30-13:30	关注
04-A-003	量子摩擦的微观机制与增强策略	魏芸芸	12:30-13:30	关注

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